集成电路ic场效应晶体管MOS管晶体管电子元器件现货库存

  • 2023-05-14 21:18 205
  • 产品价格:面议
  • 发货地址:广东 深圳市 起订要求:不限
  • 供货总量: - 发货期限:自买家付款之日起 3 天内发货
  • 有效期至:长期有效 最后更新:2023-05-14 21:18
  • 经理
    18820211842 (联系我请说明是在大把推采购网看到的信息)
  • 进入店铺 在线咨询 快速留言
    产品描述

    颖特新代理产品场效应管是一种三极管,由源极、漏极和栅极组成。根据栅极与源极间的电压变化,可以控制漏极电流的大小,从而实现放大、开关等功能。场效应管的分类及其特点如下:

    一、增强型场效应管

    增强型场效应管是一种常闭型场效应管,也称为N沟道场效应管(N-Channel FET)。它的漏极电流在零栅极电压下很小,需要通过栅极正向偏压才能控制漏极电流的大小。增强型场效应管的特点是输入电阻高、噪声低、耗电小、可靠性高,因此被广泛应用于射频功率放大器、低噪声放大器、混频器、频率合成器等电路中。

    二、耗尽型场效应管

    耗尽型场效应管是一种常开型场效应管,也称为P沟道场效应管(P-Channel FET)。它的漏极电流在零栅极电压下很大,需要通过栅极反向偏压才能控制漏极电流的大小。耗尽型场效应管的特点是输入电阻低、噪声大、耗电大,但是具有较高的放大系数和线性度。因此,耗尽型场效应管适用于低频放大器、开关电路等应用场合。

    三、自耦型场效应管

    自耦型场效应管是一种具有双向导电性能的场效应管,也称为双极性场效应管(Bipolar FET)。它既可以作为增强型场效应管使用,也可以作为耗尽型场效应管使用。自耦型场效应管的特点是具有较高的放大系数和线性度,但是输入电阻较低,噪声较大。因此,自耦型场效应管适用于低频放大器、开关电路、数字逻辑电路等应用场合。

    四、金属氧化物半导体场效应管

    金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)是一种采用金属氧化物半导体材料制成的场效应管。它具有输入电阻高、噪声低、耗电小、可靠性高等特点,被广泛应用于数字逻辑电路、功率放大器、开关电路、直流稳压电源等领域。MOSFET又可分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET两种类型,具有不同的特点和应用场合。

    总之,颖特新代理产品场效应管是一种重要的电子器件,具有广泛的应用领域。不同类型的场效应管具有不同的特点和应用场合,需要根据实际需要选择最合适的型号。随着电子技术的不断发展,场效应管的应用领域也在不断扩展,具有广阔的发展前景。

    反对 0举报 0 收藏 0 评论 0
更多产品